在近日召開的國際微電子領(lǐng)域頂級盛會——第70屆IEDM年度會議上，浙江馳拓科技以其卓越的科研成果驚艷全場。該公司在SOT-MRAM（自旋軌道矩磁性隨機存取存儲器）技術(shù)領(lǐng)域取得了重大突破，成功解決了制約該技術(shù)大規(guī)模生產(chǎn)的核心難題。

馳拓科技獨創(chuàng)性地提出了一種全新的無軌道垂直型SOT-MRAM器件結(jié)構(gòu)，這一創(chuàng)新設(shè)計極大地簡化了SOT-MRAM的制造工藝流程，并從根本上提升了器件的良率。相較于傳統(tǒng)方案，這一結(jié)構(gòu)的最大亮點在于將MTJ巧妙地置于兩個底部電極之間，并巧妙地利用了過刻蝕技術(shù)，從而顯著拓寬了刻蝕窗口，降低了工藝難度。

得益于這一突破性設(shè)計，12英寸晶圓上的SOT-MRAM器件位元良率實現(xiàn)了質(zhì)的飛躍，從原先的99.6%飆升至超過99.9%，完全滿足了大規(guī)模生產(chǎn)的高標準要求。這一成就不僅彰顯了馳拓科技在技術(shù)研發(fā)方面的深厚實力，更為SOT-MRAM技術(shù)的廣泛應(yīng)用奠定了堅實基礎(chǔ)。

傳統(tǒng)方案與馳拓科技的創(chuàng)新方案形成了鮮明對比。傳統(tǒng)方案在刻蝕過程中面臨著良率低的難題，而馳拓科技的方案則通過結(jié)構(gòu)優(yōu)化，成功克服了這一挑戰(zhàn)。

除了良率的顯著提升，馳拓科技的SOT-MRAM器件還展現(xiàn)出了卓越的性能。該器件的寫入速度達到了驚人的2納秒，寫入/擦除操作次數(shù)更是超過了1萬億次（測量時間上限），且具備持續(xù)微縮的潛力。這些性能指標不僅滿足了當(dāng)前高性能存儲技術(shù)的需求，更為未來技術(shù)的發(fā)展預(yù)留了充足的空間。

SOT-MRAM作為一種高性能非易失存儲技術(shù)，因其納秒級寫入速度和無限次擦寫次數(shù)而備受矚目。該技術(shù)有望成為CPU各級緩存的理想替代方案，從而有效解決當(dāng)前SRAM成本高昂及靜態(tài)功耗過高等問題。然而，SOT-MRAM在器件制造工藝上的高挑戰(zhàn)性一直制約著其大規(guī)模生產(chǎn)與應(yīng)用。馳拓科技的這一突破性成果無疑為SOT-MRAM技術(shù)的未來發(fā)展開辟了廣闊的道路。