存儲(chǔ)解決方案提供商廣穎電通 Silicon Power 近日正式揭曉了其創(chuàng)新的存儲(chǔ)產(chǎn)品——MEM3K0E，一款專為M.2 E-Key 2230規(guī)格設(shè)計(jì)的PCIe NVMe固態(tài)硬盤。這款產(chǎn)品的發(fā)布日期定在本月的20日，為市場(chǎng)帶來(lái)了全新的存儲(chǔ)選擇。
MEM3K0E固態(tài)硬盤采用了M.2 NGFF規(guī)范中的E-Key設(shè)計(jì)，這一設(shè)計(jì)通常應(yīng)用于無(wú)線網(wǎng)卡等無(wú)線連接設(shè)備，而廣穎電通此次將其應(yīng)用于SSD，為配備M.2 E-Key插槽的設(shè)備提供了更多的存儲(chǔ)可能性。與常見的M-Key SSD相比，MEM3K0E為特定設(shè)備用戶帶來(lái)了更豐富的擴(kuò)展選項(xiàng)。
技術(shù)規(guī)格方面，MEM3K0E搭載了PCIe 3.0×1接口，并采用了DRAM-less設(shè)計(jì)，存儲(chǔ)容量從64GB到512GB不等。該硬盤配備了3D TLC NAND閃存，擁有3000次P/E循環(huán)的耐久度，并采用了全盤動(dòng)態(tài)SLC Cache技術(shù)，以優(yōu)化性能。MEM3K0E還支持熱管理機(jī)制和電源保護(hù)功能，確保了硬盤的穩(wěn)定性和安全性。
在性能方面，MEM3K0E展現(xiàn)出了不俗的實(shí)力。其順序讀取和寫入速度分別最高可達(dá)890MB/s和880MB/s，而隨機(jī)4K讀取和寫入速度則分別最高可達(dá)200K IOPS和140K IOPS。這些性能參數(shù)使得MEM3K0E成為追求高效數(shù)據(jù)傳輸用戶的理想選擇。
在可靠性和耐久性方面，MEM3K0E同樣表現(xiàn)出色。其MTBF（平均無(wú)故障時(shí)間）預(yù)估值高達(dá)300萬(wàn)小時(shí)，為用戶提供了持久穩(wěn)定的存儲(chǔ)保障。廣穎電通還為MEM3K0E提供了3年有限質(zhì)保，并根據(jù)不同容量提供了相應(yīng)的質(zhì)保寫入量，其中64GB版本對(duì)應(yīng)40TBW，其他容量版本的質(zhì)保寫入量依次倍增。
