英特爾在2024年IEEE國(guó)際電子器件會(huì)議（IEDM 2024）上展示了其在代工技術(shù)領(lǐng)域的多項(xiàng)創(chuàng)新突破，為半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展注入了新的活力。

會(huì)上，英特爾重點(diǎn)介紹了其在新材料應(yīng)用方面的進(jìn)展，特別是減成法釕互連技術(shù)。這項(xiàng)技術(shù)的實(shí)施，使得線間電容得以顯著降低，最高降幅達(dá)到25%，從而有效提升了芯片內(nèi)部互連的性能。

除了新材料技術(shù)，英特爾還展示了一種名為選擇性層轉(zhuǎn)移（SLT）的異構(gòu)集成解決方案，該方案在先進(jìn)封裝領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢(shì)。SLT技術(shù)能夠大幅提升封裝過程的吞吐量，最高可達(dá)100倍，為實(shí)現(xiàn)超快速的芯片間組裝提供了新的可能。

在晶體管微縮技術(shù)方面，英特爾同樣取得了顯著進(jìn)展。公司展示了硅基RibbionFET CMOS技術(shù)，以及針對(duì)2D場(chǎng)效應(yīng)晶體管（2D FETs）的柵氧化層模塊。這些技術(shù)的突破，將進(jìn)一步推動(dòng)全環(huán)繞柵極（GAA）技術(shù)的微縮，從而提升設(shè)備的整體性能。

在IEDM 2024上，英特爾還分享了其對(duì)未來先進(jìn)封裝和晶體管微縮技術(shù)的愿景。為了滿足包括人工智能（AI）在內(nèi)的各類應(yīng)用需求，英特爾強(qiáng)調(diào)了三個(gè)關(guān)鍵點(diǎn)：先進(jìn)內(nèi)存集成、混合鍵合優(yōu)化互連帶寬以及模塊化系統(tǒng)及其連接解決方案。這些技術(shù)將共同推動(dòng)AI在未來十年朝著更高能效的方向發(fā)展。

其中，先進(jìn)內(nèi)存集成旨在消除容量、帶寬和延遲的瓶頸，為AI應(yīng)用提供更加高效的數(shù)據(jù)處理能力?；旌湘I合技術(shù)則通過優(yōu)化互連帶寬，進(jìn)一步提升了系統(tǒng)的整體性能。而模塊化系統(tǒng)及其連接解決方案，則為構(gòu)建更加靈活、可擴(kuò)展的系統(tǒng)架構(gòu)提供了新的思路。